Zwei Rücken an Rücken Diode PN-Übergang von einer bipolar Junction Transistor. Nach vorne schräg EB Astlöcher injiziert aus der Emitter Region, CB in reverse Bias Raumladungszone unter der Wirkung eines elektrischen Feldes zur Kollektorfläche, bilden die aktuelle Sammler-IC. Der Großteil der Sammler bias Spannung zwischen dem Emitter und wird auf dem umgekehrten voreingenommene Sammler hinzugefügt.
Wenn der Transistor #39; s Emitterstrom Verstärkung Koeffizient β = IC/IB = 100, Sammler aktuelle IC = Beta * IB = 10mA. Wenn eine alternierende Basis Stapeln in der Bias-Schaltung für kleine aktuelle IB, erscheint in den Kollektorkreis eine entsprechende Wechselstrom IC, c/IB = Beta, bipolar-Transistor #39; s Stromverstärkung realisiert.